- AI應用持續推動內存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說會上指出，DRAM供應緊張已成為當前焦點。據《經濟日報》報道，公司表示DRAM短缺將持續存在，本季度內存價格預計將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望與本季持平?！督洕請蟆愤M一步指出，除了本季度價格接近翻倍外，第二季度價格預計還將再上漲近一倍，這意味著到2026年6月底，DRAM價格可能達到2025年底水平的近4倍。《工商時報》也提到，華邦2025年和2026年的產能已全部售罄，產線處于滿載運轉狀態。受此強勁漲價趨勢推動，機構投資者對
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華邦 DRAM
- 如今科技領域似乎一切都圍繞AI展開，而事實也的確如此。在計算機內存市場，這一點體現得尤為明顯。為AI數據中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤空間巨大，導致原本用于其他領域的內存產能被分流，價格也隨之暴漲。據Counterpoint Research數據，本季度截至目前，DRAM價格已上漲80%～90%。電子行業為何會陷入這一困境？當前局面是DRAM行業周期性繁榮與衰退疊加前所未有的AI硬件基礎設施建設浪潮共同導致的結果。供需劇烈波動的核心要理解這一事件的來龍去脈，就必須認識到造成
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DRAM GPU
- 2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達成合作，共同研發 Z-Angle 內存（ZAM），其內存領域的野心再度引發關注。根據雙方發布的新聞稿，該項目將于 2026 年第一季度啟動，預計 2027 年推出原型產品，2030 年實現全面量產。在此次合作中，英特爾將提供技術與創新支持，SAIMEMORY 則主導產品研發與商業化進程。《日本電子工程時報》援引軟銀發言人的表述稱，“ZAM” 中的 “Z” 代表 Z 軸，研發團隊正考慮采用垂直堆疊結構設計。報道還提到，軟銀計劃在 2027 財年完
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英特爾 DRAM 軟銀 Z-Angle 內存項目
- 瑞銀在最新研報中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關鍵零部件（存儲芯片DRAM）價格的劇烈反彈。據該行測算，一輛典型的中型智能電動車的成本通脹高達人民幣4000至7000元。瑞銀稱，在當前競爭激烈、利潤微薄的市場環境下，由于車企很難將這部分成本轉嫁給消費者，這波成本上漲足以將車企的利潤完全吞噬（fully erode carmakers' margin）。金屬價格全線反彈研報稱，瑞銀基于其過往的拆解數據，建立了一個
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電動車 DRAM 金屬 購置稅
- 三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%，目前客戶已收到通知。據行業知情人士透露，三星去年底已經完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業級的NAND價格上調100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續。市場研究機構TrendForce的數據顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
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存儲 NAND DRAM 三星 SK海力士
- 生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導體產業，卻可能為汽車供應鏈埋下新的不確定性。 瑞銀最新發布的全球汽車產業研究報告警告，受AI服務器需求暴增影響，DRAM產能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導致汽車級存儲器面臨價格上漲與供應短缺的雙重壓力，相關沖擊預計將自2026年第二季開始逐步浮現。瑞銀指出，全球三大DRAM供應商三星電子、SK海力士與美光，為追求更高的毛利率，已明確將產能重心轉向AI服務器所需的HBM產品，由于汽車級DDR內存與AI芯片共享有限的硅晶圓產能，HBM產能快速擴張，勢必排擠車用DR
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瑞銀 DRAM 汽車
- 根據TrendForce最新的記憶現貨價格趨勢報告，關于DRAM的現貨價格持續日復一日上漲，盡管交易依然低迷，供應商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在NAND，盡管一些買家采取了觀望態度，現貨交易者對未來價格趨勢持樂觀態度，卻拒絕降價以刺激銷售。詳情如下：DRAM現貨價格：受強勁的合約價格上漲推動，現貨價格連續日漲。然而，由于供應商和交易商不愿釋放庫存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現貨價格已從上
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DDR4 DRAM NAND
- 據韓媒Chosun Biz援引市調機構Omdia數據，2026年三星電子的DRAM晶圓產量預計為793萬片，較2025年的759萬片增長約5%。SK海力士的DRAM產量則預計將從2025年的597萬片提升至2026年的648萬片，增幅約為8%。然而，由于技術升級至10納米第六代DRAM（1c）制程可能引發短期產能損失，實際增產幅度或低于預期。美光的年產量預計維持在約360萬片，與2025年持平。盡管三大DRAM廠商的產能均有所增加，但與市場需求相比仍存在顯著差距。韓國KB證券分析顯示，客戶端DRAM需求的
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DRAM 供應
- 華碩發布了一段18秒的預告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場上最好的主板競爭。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺帶來顯著的生活質量升級，目前AM5平臺擁有一些最優秀的CPU。硬件界又到了令人興奮的時代，品牌們準備在CES 2026上發布最新創新產品。緊隨MSI和技嘉發布Max和X3D更新之后，華碩憑借備受期待的Neo系列登上了聚光燈下。雖然“Neo”代表新或近期，但這些即將推出的AMD主板很可能繼續基于AM
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AM5“Neo”主板 華碩Neo主板 CES 2026 NitroPath DRAM
- 隨著人工智能基礎設施的逐步擴充，內存供應緊張，價格飆升。《商業時報》援引行業專家的話，預測云高速內存消耗到2026年可能達到3艾字節（EB）。值得注意的是，考慮到高速內存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報告警告稱人工智能實際上可能占全球DRAM供應近20%。報告指出，3EB預計將由三個關鍵組成部分驅動。首先，跨主要平臺——谷歌（Gemini）、AWS（Bedrock）和OpenAI（ChatGPT）——的核心推理工作負載預計實時內存需求將達到約750PB?？紤]到實際部署所需的冗余和安全裕度，這一
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AI DRAM HBM 存儲
- 三星電子于7月完成了6代10納米級工藝的1代1c DRAM開發后，現正推進下一代DRAM技術。據The Elec報道，三星與三星先進技術研究院（SAIT）發布了一種實現亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b DRAM。正如韓國新聞2024年底報道，三星計劃于2025年發布第六代10納米1c型HBM4DRAM處理器，隨后于2026年推出第七代10納米1維DRAM，并計劃于2027年前推出首款亞10納米0安DRAM。《The Elec》援引的一位業內消息人士指出，雖然該技術仍處于研究階段，且數年內難
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三星 DRAM
- 在內存價格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內部擁有強大容量。DealSite透露，三星電子DX部門CEO兼負責人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開幕日會面美光CEO Sanjay Mehrotra。正如報道所強調的，活動期間此類會議較為罕見，但消息人士稱三星請求此次會議是為了應對移動DRAM供應收緊的問題。據DealSite報道，討論將聚焦于即將推出的Galaxy S26的LPDDR5X，因為飛漲的價格使得與三星DS部門和美光的合同尚未解決。正如Se
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三星 存儲 DRAM
- 在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的內存領域：高帶寬存儲 （HBS）。正如 ETnews 報道的那樣，哈佛商學院將移動 DRAM 和 NAND 相結合，以提高智能手機、平板電腦和其他移動設備的 AI 性能。報告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創建HBS，它可以堆疊多達16層
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SK海力士 高帶寬 存儲堆疊 NAND DRAM
- 記憶體價格漲勢持續升溫，第四季DRAM市場可望迎來全面上修。 TrendForce最新調查指出，全球云端服務供應商（CSP）積極擴建數據中心，帶動服務器用DRAM合約價走強，供應商同步調高報價意愿，使一般型DRAM價格預估漲幅由原先的8%~13%，上修至18%~23%。 惟目前合約價尚未完全開出，后續仍可能再次調升，反映出供需持續偏緊，市場氣氛轉趨樂觀。觀察近期CSP采購節奏，從原本保守轉為積極，加單需求擴及多家原廠，尤其高容量、高頻率規格的服務器DRAM需求上升，已出現排擠效應，推升主流產品報價穩步墊高
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DRAM TrendForce
- 在流行媒體中，“AI”通常意味著在昂貴、耗電的數據中心中運行的大型語言模型。但是，對于許多應用程序，在本地硬件上運行的較小模型更適合。自動駕駛汽車需要實時響應，沒有數據傳輸延遲。醫療和工業應用通常依賴于無法與第三方共享的敏感數據。但是，盡管邊緣 AI 應用程序可以更快、更安全，但它們的計算資源要有限得多。它們沒有 TB 內存占用或有效無限的功率。對于數據中心來說，可能有些抽象的約束對邊緣人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 國際內存研討會的一篇特邀論文和隨后的預印本中，ETH 計算機科學教授
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存內計算 邊緣AI DRAM
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